例如，14 纳米制程需要采用 FinFET（鳍式场效应晶体管）技术，这种技术对于晶体管的栅极、沟道等结构的设计和制造精度要求极高。

相比 45 纳米制程的平面晶体管结构，技术难度呈指数级上升。

在一个光刻是芯片制造中最为关键的环节之一。

第二、光刻机的问题了。

14 纳米制程需要更高精度的光刻机和光刻技术。

先进的光刻机被国外公司垄断，中心国际在获取高端光刻机方面受到诸多限制。

例如，ASML 的极紫外光（EUV）光刻机受到漂亮国的压力，对中心国际的供应存在不确定性，这严重影响了中心国际在 14 纳米及更先进制程上的研发和生产。

第三、工艺整合复杂性。

随着制程的缩小，芯片制造过程中的各个工艺环节之间的相互影响和协同性变得更加复杂。

例如，刻蚀、沉积、掺杂等工艺的精度和稳定性要求都大幅提高，需要进行精细的工艺优化和整合，以确保芯片的性能和良率。

中心国际在工艺整合方面的能力还不够，还需要不断积累经验和技术，

第四、研发费用高昂。

这章没有结束，请点击下一页继续阅读！

开发 14 纳米及更先进的制程技术需要大量的研发资金投入。

从芯片设计、工艺研发到设备采购和调试，每一个环节都需要巨额的资金支持。国际上的先进芯片代工厂商，如台积电、三星等，每年在先进制程研发上的投入都高达一二十亿美元以上。

中心国际在资金实力上与这些国际巨头相比存在一定的差距，资金投入的不足限制了其在先进制程技术上的发展速度。

第五、设备采购成本高。

14 纳米制程需要先进的生产设备，如高端光刻机、刻蚀机、沉积设备等。

这些设备的价格极其昂贵，且更新换代速度快。

中心国际为了采购和更新这些设备，需要承担巨大的资金压力。

同时，设备的维护和升级也需要大量的资金和技术支持。

第六、高端专业人才总量不足。

集成电路行业属于技术和人才密集型行业，国内产业起步晚，经验丰富的高端人才稀缺。

中心国际在发展 14 纳米制程技术时，面临着高端专业技术人才总量不足的问题，这限制了公司在技术研发、工艺优化和生产管理等方面的能力提升。

第七、外部技术封锁

漂亮国等国家对国内的半导体产业进行技术封锁和限制，禁止向国内企业出口关键的芯片制造技术和设备。

这使得中心国际在获取先进技术和设备方面受到严重阻碍，延缓了其在 14 纳米及更先进制程技术上的发展。

正是这些原因，中心国际在10年的时候还能代工主流一线的手机芯片，但是到了10年后却已经远远掉队了。

PS:错字先更后改。